Atjaunināt sīkdatņu piekrišanu

E-grāmata: Frontiers In Electronics - Selected Papers From The Workshop On Frontiers In Electronics 2015 (Wofe-15)

Edited by (Rensselaer Polytechnic Inst, Usa), Edited by (Grenoble Inp - Minatec, France)
Citas grāmatas par šo tēmu:
  • Formāts - PDF+DRM
  • Cena: 95,80 €*
  • * ši ir gala cena, t.i., netiek piemērotas nekādas papildus atlaides
  • Ielikt grozā
  • Pievienot vēlmju sarakstam
  • Šī e-grāmata paredzēta tikai personīgai lietošanai. E-grāmatas nav iespējams atgriezt un nauda par iegādātajām e-grāmatām netiek atmaksāta.
Citas grāmatas par šo tēmu:

DRM restrictions

  • Kopēšana (kopēt/ievietot):

    nav atļauts

  • Drukāšana:

    nav atļauts

  • Lietošana:

    Digitālo tiesību pārvaldība (Digital Rights Management (DRM))
    Izdevējs ir piegādājis šo grāmatu šifrētā veidā, kas nozīmē, ka jums ir jāinstalē bezmaksas programmatūra, lai to atbloķētu un lasītu. Lai lasītu šo e-grāmatu, jums ir jāizveido Adobe ID. Vairāk informācijas šeit. E-grāmatu var lasīt un lejupielādēt līdz 6 ierīcēm (vienam lietotājam ar vienu un to pašu Adobe ID).

    Nepieciešamā programmatūra
    Lai lasītu šo e-grāmatu mobilajā ierīcē (tālrunī vai planšetdatorā), jums būs jāinstalē šī bezmaksas lietotne: PocketBook Reader (iOS / Android)

    Lai lejupielādētu un lasītu šo e-grāmatu datorā vai Mac datorā, jums ir nepieciešamid Adobe Digital Editions (šī ir bezmaksas lietotne, kas īpaši izstrādāta e-grāmatām. Tā nav tas pats, kas Adobe Reader, kas, iespējams, jau ir jūsu datorā.)

    Jūs nevarat lasīt šo e-grāmatu, izmantojot Amazon Kindle.

Rapid pace of electronic technology evolution and current economic climate compel a merger of such technical areas as low-power digital electronics, microwave power circuits, optoelectronics, etc., which collectively have become the foundation of today's electronic technology.This Workshop aims at encouraging active cross-fertilization of the different 'species' in this electronic planet. The WOFE2015 had gather experts from academia, industry, and government agencies to review the recent exciting breakthroughs and their underlying physical mechanisms.This Monographs includes ten invited articles; cover topics ranging from Ultra-thin silicon nanowire solar cells, to hydrogen generation under illumination of GaN-based structures and from ultrafast response of nanoscale device structures to Power device optimization.
Preface v
Compact Model for Current Collapse in GaN-HEMT Power Switches
1(8)
M. Islam
G. Simin
Bulk Current Model for GaN-on-Si High Electron Mobility Transistors
9(12)
M. Islam
G. Simin
Subpicosecond Nonlinear Plasmonic Response Probed by Femtosecond Optical Pulses
21(14)
M. Shur
S. Rudin
G. Rupper
M. Yamaguchi
X. Shen
A. Muraviev
SOI Technologies from Microelectronics to Microsystems --- Meeting the More than Moore Roadmap Requirements
35(26)
J.-P. Raskin
Towards High-Voltage MOSFETs in Ultrathin FDSOI
61(22)
A. Litty
S. Ortolland
D. Golanski
C. Dutto
A. Dartigues
S. Cristoloveanu
Advances in RRAM Technology: Identifying and Mitigating Roadblocks
83(22)
D. Veksler
G. Bersuker
Understanding the Formation of Conducting Filaments in RRAM Through the Design of Experiments
105(16)
P. Bousoulas
D. Tsoukalas
Photovoltaic Characteristics of Ultra-Thin Single Crystalline Silicon Solar Cells
121(8)
R. Miyazawa
H. Wakabayashi
K. Tsutsui
H. Iwai
K. Kakushima
Photo-Electrochemical Etching in the Process of Direct H2 Generation by Illumination of GaN-Based Material Structures Immersed in Water
129(14)
A. Usikov
S. Luryi
A. Nikiforov
H. Helava
Yu. Makarov
M. Gouzman
Fundamental and Technological Limitations of Optical Communications
143(22)
D. K. Mynbaev
Author Index 165