Atjaunināt sīkdatņu piekrišanu

E-grāmata: Frontiers In Electronics: Selected Papers From The Workshop On Frontiers In Electronics 2011 (Wofe-11)

Edited by (Grenoble Inp - Minatec, France), Edited by (Rensselaer Polytechnic Inst, Usa)
Citas grāmatas par šo tēmu:
  • Formāts - PDF+DRM
  • Cena: 40,57 €*
  • * ši ir gala cena, t.i., netiek piemērotas nekādas papildus atlaides
  • Ielikt grozā
  • Pievienot vēlmju sarakstam
  • Šī e-grāmata paredzēta tikai personīgai lietošanai. E-grāmatas nav iespējams atgriezt un nauda par iegādātajām e-grāmatām netiek atmaksāta.
  • Bibliotēkām
Citas grāmatas par šo tēmu:

DRM restrictions

  • Kopēšana (kopēt/ievietot):

    nav atļauts

  • Drukāšana:

    nav atļauts

  • Lietošana:

    Digitālo tiesību pārvaldība (Digital Rights Management (DRM))
    Izdevējs ir piegādājis šo grāmatu šifrētā veidā, kas nozīmē, ka jums ir jāinstalē bezmaksas programmatūra, lai to atbloķētu un lasītu. Lai lasītu šo e-grāmatu, jums ir jāizveido Adobe ID. Vairāk informācijas šeit. E-grāmatu var lasīt un lejupielādēt līdz 6 ierīcēm (vienam lietotājam ar vienu un to pašu Adobe ID).

    Nepieciešamā programmatūra
    Lai lasītu šo e-grāmatu mobilajā ierīcē (tālrunī vai planšetdatorā), jums būs jāinstalē šī bezmaksas lietotne: PocketBook Reader (iOS / Android)

    Lai lejupielādētu un lasītu šo e-grāmatu datorā vai Mac datorā, jums ir nepieciešamid Adobe Digital Editions (šī ir bezmaksas lietotne, kas īpaši izstrādāta e-grāmatām. Tā nav tas pats, kas Adobe Reader, kas, iespējams, jau ir jūsu datorā.)

    Jūs nevarat lasīt šo e-grāmatu, izmantojot Amazon Kindle.

Frontiers in Electronics includes the best papers of WOFE-11 invited by the Editors and down selected after the peer review process. This book is conceived to make available in the international arena extended versions of selected, high impact talks. The papers are divided into four sections: advanced terahertz and photonics devices; silicon and germanium on insulator and advanced CMOS and MOSHFETs; nanomaterials and nanodevices; wide band gap technology for high power and UV photonics.
Levy Flight of Holes in InP Semiconductor Scintillator (S Luryi and A
Subashiev); InAs1-xSbx Alloys with Native Lattice Parameters Grown on
Compositionally Graded Buffers: Structural and Optical Properties (D Wang, D
Donetsky, Y Lin, G Kipshidze, L Shterengas, G Belenky, W L Sarney and S P
Svensson); High-Performance Interband Cascade Lasers for = 3-4.5 m (M W W
Bewley, C S Kim, M Kim, I Vurgaftman, C L Canedy, J R Lindle, J Abell and J R
Meyer); GaN Based 3D Core-Shell LEDs (X Wang, S Li, S Fundling, J Wei, M
Erenburg, J Ledig, H H Wehmann, A Waag, W Bergbauer, M Mandl, M Strassburg
and U Steegmuller); Progress in SiC Materials/Devices and Their Competition
(D K Schroder); Performance and Applications of Deep UV LED (M Shatalov, A
Lunev, X Hu, O Bilenko, I Gaska, W Sun, J Yang, A Dobrinsky, Y Bilenko, R
Gaska and M Shur); Ordered GaN/InGaN Nanorods Arrays Grown by Molecular Beam
Epitaxy for Phosphor-Free White Light Emission (S Albert, A
Bengoechea-Encabo, M A Sanchez-Garcia, F Barbagini, E Calleja, E Luna, A
Trampert, U Jahn, P Lefebvre, L L Lopez, S Estrade, J M Rebled, F Peiro, G
Nataf, P de Mierry and J Zuniga-Perez); Catalyst-Free GaN Nanowires as
Nanoscale Light Emitters (K Bertness, N Sanford, J Schlager, A Roshko, T
Harvey, P Blanchard, M Brubaker, A Herrero and A Sanders); Recessed-Gate
Normally-Off GaN MOSFET Technologies (K-S Im, K-W Kim, D-S Kim, H-S Kang, D-K
Kim, S-J Chang, Y-H Bae, S-H Hahm, S Cristoloveanu and J-H Lee);
Silicon-on-Insulator MESFETs at the 45nm Node (W Lepkowski, S J Wilk, M R
Ghajar, A Parsi and T J Thornton); Advanced Concepts for Floating-Body
Memories (F Gamiz, N Rodriguez and S Cristoloveanu); Plasmonic-Based Devices
for Optical Communications (D K Mynbaev and V Sukharenko); Spintronic Devices
and Circuits for Low-Voltage Logic (D H Morris, D M Bromberg, J-G (Jimmy) Zhu
and L Pileggi); Biomolecular Field Effect Sensors (bioFETs): From Qualitative
Sensing to Multiplexing, Calibration and Quantitative Detection from Whole
Blood (A Vacic and M A Reed); Theoretical Investigation of Intraband,
Infrared Absorbance in Inorganic/Organic Nanocomposite Thin Films with
Varying Colloidal Quantum Dot Surface Ligand Materials (K R Lantz and A D
Stiff-Roberts).